国内会議
2018年度
2017年度
[ 共同発表者名 ] 藤代 博記、磯野 恭佑、高橋 択斗、原田 義彬、岡 直希、竹内 淳、藤澤 由衣、藤川 紗千恵、町田 龍人、渡邊 一世、山下 良美、遠藤 聡、原 紳介、笠松 章史
[ 学会・会議名 ] 電子デバイス研究会-ミリ波･テラヘルツ波デバイス・システム-
[ 発表日付 ] 2017年12月18日 ～ 12月19日
[ 共同発表者名 ] 中島 佑太, 内田 紀行, 町田 龍人, 藤代 博記, 服部 淳一, 福田 浩一, 前田 辰郎
[ 学会・会議名 ] 第78回応用物理学会秋季学術講演会
[ 発表日付 ] 2017年9月5日 ～ 9月8日
GaSb薄膜／ドット核形成層を用いたSi(100)基板上のGaSb/AlGaSb MQW構造の作製
[ 共同発表者名 ] 町田 龍人，赤羽 浩一，渡邊 一世，原 紳介，藤川 紗千恵，笠松 章史，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 第78回応用物理学会秋季学術講演会
[ 発表日付 ] 2017年9月5日 ～ 9月8日
LT-AlSb成長がInSb HEMT構造の電気的特性に与える影響
[ 共同発表者名 ] 遠藤 勇輝, 原田 義彬, 竹内 淳, 岩木 拓也, 町田 龍人, 藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 第78回応用物理学会秋季学術講演会
[ 発表日付 ] 2017年9月5日 ～ 9月8日
GaAs(100)基板上ヘテロエピタキシャルGaSb薄膜成長の界面制御
[ 共同発表者名 ] 伊藤 峰水，鈴木 浩基，渡邊 優介，藤川 紗千恵，町田 龍人，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 第78回応用物理学会秋季学術講演会
[ 発表日付 ] 2017年9月5日 ～ 9月8日
Si基板上へのGaN系THz-QCL構造のMOCVD成長と評価
[ 共同発表者名 ] 石黒 稔也，藤川 紗千恵，王 科，前田 哲利，町田 龍人，藤代 博記，平山 秀樹
[ 学会・会議名 ] 第78回応用物理学会秋季学術講演会
[ 発表日付 ] 2017年9月5日 ～ 9月8日
低温成長InSbがGaAs基板上InSb薄膜成長に与える影響
[ 共同発表者名 ] 渡邊 優介，椎野 響太，伊藤 峰水，鈴木 浩基，藤川 紗千恵，町田 龍人，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 第78回応用物理学会秋季学術講演会
[ 発表日付 ] 2017年9月5日 ～ 9月8日
2016年度
InSb/Ga0.35In0.65Sb複合チャネル構造の電気的特性の評価
[ 共同発表者名 ] 岩木拓也, 原田義彬, 竹内 淳, 遠藤勇輝, 藤川紗千恵, 藤代博記
[ 学会・会議名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2017年3月14日 ～ 3月17日
[ 共同発表者名 ] 高橋正紘, 入沢寿史, 張文馨, 富永淳二, 藤川紗千恵, 藤代博記, 前田辰郎
[ 学会・会議名 ] 第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会(EDIT22)
[ 発表日付 ] 2017年1月20日 ～ 1月21日
[ 共同発表者名 ] 渡邊一世，山下良美，遠藤聡，原紳介，赤羽浩一，笠松章史，辻大介，町田龍人，竹鶴達哉，戸田隆介，磯野恭佑，藤川紗千恵，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 電気学会「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」調査専門委員会
[ 発表日付 ] 2016年8月5日 ～ 8月5日
2015年度
蒸着SiOx膜を用いたfT=300GHz超InSb-HEMTの作製
[ 共同発表者名 ] 辻 大介，磯野恭佑，竹鶴達哉，藤川紗千恵，渡邊一世，山下良美，遠藤聡，原紳介，笠松章史
[ 学会・会議名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2016年3月22日
In1-xGaxSb量子井戸構造の電気的特性評価
[ 共同発表者名 ] 原田義彬,岡直希,藤川紗千恵,藤代博記
[ 学会・会議名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2016年3月20日
SLS回数と成長温度の最適化によるInSb-HEMT構造の電気的特性向上
[ 共同発表者名 ] 加藤三四郎，宮下愛理，藤川紗千恵，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2016年3月20日
高密度GaSbドットを用いたSi(100)基板上のGaSb薄膜成長
[ 共同発表者名 ] 町田 龍人，戸田 隆介，藤川 紗千恵，原 紳介，渡邊 一世， 赤羽 浩一，笠松 章史，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2016年3月20日
3次元ICに向けた多結晶に向けた多結晶InSbInSb MOSMOS FETFETの電気特性評価
[ 共同発表者名 ] 高橋正紘,藤川紗千恵,藤代博記,入沢寿史,富永淳二,前田辰郎
[ 学会・会議名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2016年3月20日
ナノスケールIII‐V HEMTの雑音解析
[ 共同発表者名 ] 高橋 択斗、初芝 正太、藤川 紗千恵、藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会
[ 発表日付 ] 2015年9月16日
3次元ICに向けた多結晶InSb薄膜の電気特性評価
[ 共同発表者名 ] 高橋 正紘、藤川 紗千恵、藤代 博記、入沢 寿史、富永 淳二、前田 辰郎
[ 学会・会議名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会
[ 発表日付 ] 2015年9月15日
Al/Si(111)-\sqrt{3}×\sqrt{3}表面再構成構造上GaSb初期成長過程の温度依存性
[ 共同発表者名 ] 緒方 悟公、町田 龍人、石井 達也、藤川 紗千恵、原 紳介、色川 勝己、三木 裕文、河津 璋、藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会
[ 発表日付 ] 2015年9月14日
GaAs(100)基板上のInSb/GaSb結晶のオフ角依存性
[ 共同発表者名 ] 鈴木 浩基、藤川 紗千恵、藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会
[ 発表日付 ] 2015年9月13日
InGaSbヘテロエピタキシャル薄膜の膜質評価
[ 共同発表者名 ] 原 紳介、渡邊 一世、竹鶴 達哉、辻 大介、藤川 紗千恵、藤代 博記、赤羽 浩一、笠松 章史
[ 学会・会議名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会
[ 発表日付 ] 2015年9月13日
AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性
[ 共同発表者名 ]竹鶴達哉、藤川紗千恵、原田義彬、鈴木浩基、磯野恭佑、加藤三四郎、辻 大介、藤代博記
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会 電子デバイス研究会
[ 発表日付 ] 2015年7月25日
GaSb表面の純窒化プロセスの検討
[ 共同発表者名 ] 後藤 高寛、藤川 紗千恵、藤代 博記、小倉 睦郎、安田 哲二、前田 辰郎
[ 学会・会議名 ] 第62回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2015年3月14日
InSb HEMT作製におけるプロセスダメージの検討
[ 共同発表者名 ] 前田 章臣、辻 大介、竹鶴 達哉、藤川 紗千恵、藤代 博記、渡邊 一世、山下 良美、遠藤 聡、原 紳介、笠松 章史
[ 学会・会議名 ] 第62回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2015年3月11日
2014年度
GaSb表面の純窒化プロセスの検討
[ 共同発表者名 ] 後藤 高寛、藤川 紗千恵、藤代 博記、小倉 睦郎、安田 哲二、前田 辰郎
[ 学会・会議名 ] 第62回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2015年3月14日
InSb HEMT作製におけるプロセスダメージの検討
[ 共同発表者名 ] 前田 章臣、辻 大介、竹鶴 達哉、藤川 紗千恵、藤代 博記、渡邊 一世、山下 良美、遠藤 聡、原 紳介、笠松 章史
[ 学会・会議名 ] 第62回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2015年3月11日
Ga/Si(100)表面再構成構造上 GaSb 3 次元島の成長形態解析
[ 共同発表者名 ] 戸田隆介, 町田龍人, 緒方悟公, 藤川紗千恵, 原紳介, 藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2014年9月19日
窒素プラズマ処理を施したAl2O3/GaSb MOS構造の特性評価
[ 共同発表者名 ] 後藤高寛，藤川紗千恵，藤代博記，小倉睦郎，安田哲二，前田辰郎
[ 学会・会議名 ] 2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2014年9月19日
グレーデッドバッファ層を導入したInSb HEMT構造の作製と評価
[ 共同発表者名 ] 竹鶴達哉，前田章臣，辻大介，藤川紗千恵，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2014年9月18日
貫通転位がInSb HEMTの特性に与える影響の解析
[ 共同発表者名 ] 初芝正太,長井彰平,藤川紗千恵,原紳介,遠藤聡,渡邊一世,笠松章史,藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2014年9月17日
III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析
[ 共同発表者名 ] 矢島悠貴，大濱諒子，藤川紗千恵，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会 電子デバイス研究会
[ 発表日付 ] 2014年8月14日 ～ 8月14日
貫通転位がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響の解析
[ 共同発表者名 ] 初芝正太，長井彰平，藤川紗千恵，原紳介，遠藤聡，渡邊一世，笠松章史，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会 電子デバイス研究会
[ 発表日付 ] 2014年8月14日 ～ 8月14日
2013年度
各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの遅延時間解析
[ 共同発表者名 ] 矢島悠貴，大濱諒子，西田明央，藤川紗千恵，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2014年3月20日
ラフネス・転位散乱がInSb HEMTの特性に与える影響の解析
[ 共同発表者名 ] 初芝正太，長井彰平，永井佑太郎，藤川紗千恵，原紳介，遠藤聡，渡邊一世，笠松章史，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2014年3月20日
Al2O3/GaSb MOS 界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討
[ 共同発表者名 ] 後藤高寛，藤川紗千恵，藤代博記，小倉睦郎，安田哲二，前田辰郎
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2014年3月18日
ナローバンドギャップデバイス応用にむけたInAsxSb1-x結晶の作製と特性評価
[ 共同発表者名 ] 藤川紗千恵，高木裕介，前田章臣，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2014年3月18日
歪緩和AlInSbバッファー層を用いたInSb-HEMT構造の作製と評価
[ 共同発表者名 ] 藤川紗千恵，高木裕介，前田章臣，古仲佑太朗，原紳介，渡邉一世，遠藤聡，山下良美，笠松章史，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2014年3月18日
各種チャネル材料を用いたナノスケールHEMTの周波数限界
[ 共同発表者名 ] 長井彰平，永井佑太郎，藤川紗千恵，原紳介，遠藤聡，渡邊一世，笠松章史，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2013年9月19日
各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの特性解析
[ 共同発表者名 ] 大濱諒子，西田明央，藤川紗千恵，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2013年9月19日
GaSb ショットキー接合型メタルS/D pMOSFETs の動作実証
[ 共同発表者名 ] 後藤高寛，藤川紗千恵，藤代博記，小倉睦郎，安田哲二，前田辰郎
[ 学会・会議名 ] 2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2013年9月17日
Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成
[ 共同発表者名 ] 町田龍人，戸田隆介，吉木圭祐，藤川紗千恵，原紳介，色川勝己，三木裕文，河津璋，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会ED研究会
[ 発表日付 ] 2013年8月8日 ～ 8月13日
真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響
[ 共同発表者名 ] 後藤高寛，原紳介，藤代博記，小倉睦郞，安田哲二，前田辰郎
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会ED研究会
[ 発表日付 ] 2013年8月8日 ～ 8月13日
2014年度
InSb/Al0.25In0.75Sb HEMTの作製及び特性評価
[ 共同発表者名 ] 高橋 維，小畑卓也，古仲佑太朗，高木裕介，原 紳介，藤代博記，渡邊一世，山下良美，遠藤 聡，笠松章史
[ 学会・会議名 ] 第60回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2013年3月29日
GaAs基板上GaSb MOS 構造の作製
[ 共同発表者名 ] 後藤高寛，原 紳介，藤代博記，小倉睦郎，安田哲二，前田辰郎
[ 学会・会議名 ] 第60回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2013年3月28日
2012年度
Ga 誘起 Si(111)再構成表面上 GaSb ナノ構造の成長形態の温度依存性
[ 共同発表者名 ] 町田龍人，吉木圭祐，原紳介，色川勝己，三木裕文，河津璋，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 第32回表面科学学術講演会
[ 発表日付 ] 2012年11月20日 ～ 11月22日
傾斜 Field-Plate 構造 AlGaN/GaN HEMT の 遅延時間の発生メカニズムに関する理論的検討
[ 共同発表者名 ] 戸島拓也，原和也，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2012年9月12日
III-V DG-MOSFET の駆動電流に及ぼすソース/ドレイン形状の影響 に関する理論的解析
[ 共同発表者名 ] 長谷川慶，西田明央，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2012年9月11日
InGaAs DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン拡張領域の影響の解析
[ 共同発表者名 ] 西田明央，長谷川慶，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
[ 発表日付 ] 2012年9月11日 ～ 9月11日
量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析
[ 共同発表者名 ] 永井佑太郎，佐藤純，原紳介，藤代博記，遠藤 聡，渡邊一世
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会ED研究会
[ 発表日付 ] 2012年7月27日
GaAs基板上InSb/AlInSbヘテロ構造の断面TEM観察
[ 共同発表者名 ] 原紳介，内田明憲，堀井宏之，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 中部地区ナノテク総合支援：ナノ材料創製加工と先端機器分析 平成23年度成果報告会
[ 発表日付 ] 2012年3月31日
モンテカルロ法による傾斜field-plate構造AlGaN/GaN HEMTの遅延時間解析
[ 共同発表者名 ] 平澤勇樹，原和也，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会 2012年総合大会
[ 発表日付 ] 2012年3月20日 ～ 3月23日
InSb HEMTのデバイス特性に及ぼすラフネス散乱の影響
[ 共同発表者名 ] 佐藤純，荒井敦志，町田史晴，原紳介，藤代博記，遠藤聡，渡邊一世
[ 学会・会議名 ] 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2012年3月15日 ～ 3月18日
2011年度
歪みInSb HEMTのモンテカルロ解析
[ 共同発表者名 ] 町田史晴，佐藤純，原 紳介，藤代 博記，遠藤聡，渡邊一世
[ 学会・会議名 ] 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2011年8月29日 ～ 9月2日
各種チャネル材料を用いた微細III-V MOSFETの特性比較
[ 共同発表者名 ] 長谷川慶，本間嵩広，原 紳介，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2011年8月29日 ～ 9月2日
量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析
[ 共同発表者名 ] 佐藤純，町田史晴，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会ED研究会
[ 発表日付 ] 2011年7月29日 ～ 7月30日
InAs HEMTの歪み効果に関する理論的研究
[ 共同発表者名 ] 佐藤純，町田史晴，西野啓之，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2011年 電子情報通信学会総合大会
[ 発表日付 ] 2011年3月14日 ～ 3月17日
InAs HEMTの歪み効果に関するモンテカルロ解析
[ 共同発表者名 ] 町田史晴，佐藤純，西野啓之，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2011年3月24日 ～ 3月27日
Si(111)表面上GaSb初期成長層のSTM観察
[ 共同発表者名 ] 町田龍人，布施和敬，八木下一輝，原紳介，色川勝己，三木裕文，河津璋，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2011年3月24日 ～ 3月27日
2010年度
量子補正モンテカルロ法によるInGaAs MOSFETの電子輸送解析
[ 共同発表者名 ] 藤代博記
[ 学会・会議名 ] 電気学会調査専門委員会「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス」研究会
[ 発表日付 ] 2010年11月22日 ～ 11月22日
InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の理論的解析
[ 共同発表者名 ] 渡邉 久巨，本間 嵩広，原 紳介，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2010年電子情報通信学会ソサイエティ大会
[ 発表日付 ] 2010年9月14日 ～ 9月17日
InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の影響の解析
[ 共同発表者名 ] 本間嵩広，渡邉久巨，原 紳介，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2010年9月14日 ～ 9月17日
格子整合系歪みInAs HEMTのモンテカルロ解析
[ 共同発表者名 ] 町田史晴，西野啓之，原 紳介，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2010年9月14日 ～ 9月17日
MBE法によるSiO2/Siパターン基板上InSbの結晶性評価Ⅱ
[ 共同発表者名 ] 飯田智顕，西野祐一，原 紳介，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2010年9月14日 ～ 9月17日
MBE法によるSiO2/Siパターン基板上InSbの結晶性評価Ⅰ
[ 共同発表者名 ] 西野祐一，飯田智顕，原 紳介，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2010年9月14日 ～ 9月17日
MBE法によるGaAs(100)基板上AlInSb/InSb QW構造の特性評価
[ 共同発表者名 ] 内田明憲，堀井宏之，原 紳介，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2010年9月14日 ～ 9月17日
InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析
[ 共同発表者名 ] 本間 嵩広，渡邉 久巨，原 紳介，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会ED研究会
[ 発表日付 ] 2010年6月17日 ～ 6月18日
MBE 法によるGaAs(100)基板上InSbへのTe δドープにおける基板温度度依存性
[ 共同発表者名 ] 内田明憲，長谷川温，堀井宏之，山田純也，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2010年 3月17日～3月20日
MBE法によるSiO2/Siパターン基板上のInSb選択成長
[ 共同発表者名 ] 飯田智顕，長谷川温，田中辰喜，西野祐一，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2010年3月17日 ～ 3月20日
水素終端Si(113)表面上のSTMリソグラフィによる水素原子脱離
[ 共同発表者名 ] 鈴木徹, 布施和敬, 原紳介, 色川勝己, 河津璋, 三木裕文, 藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2010年3月17日 ～ 3月20日
InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送の理論的解析
[ 共同発表者名 ] 渡邉久巨，本間嵩広，竹岸孝之，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2010年3月17日 ～ 3月20日
歪み印加時のInAsとInSbの電子輸送特性に関する理論的解析
[ 共同発表者名 ] 西野 啓之，川平 一太，町田 史晴，原 紳介，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2010年 電子情報通信学会総合大会
[ 発表日付 ] 2010年3月16日 ～ 3月19日
2009年度
InGaAs-Channel MOSFETの電子輸送に関する理論的研究
[ 共同発表者名 ] 渡辺 久巨，竹岸 孝之，本間 嵩広，原 紳介，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2009年秋季 電子情報通信学会ソサイエティ大会
[ 発表日付 ] 2009年9月15日 ～ 9月18日
歪み印加時のInAsとInSbの衝突電離現象と電子輸送特性に関する理論的解析
[ 共同発表者名 ] 西野 啓之，川平 一太，町田 史晴，原 紳介，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2009年9月8日 ～ 9月11日
歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析
[ 共同発表者名 ] 西野 啓之，川平 一太，原 紳介，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会ED研究会
[ 発表日付 ] 2009年6月11日 ～ 6月11日
歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析
[ 共同発表者名 ] 川平一太，横澤早智子，西野啓之，原 紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2009年春季 第56回応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2009年3月30日 ～ 4月2日
量子補正モンテカルロ法によるInAs HEMTの擬似バリスティック輸送の解析
[ 共同発表者名 ] 渡辺久巨，竹岸孝之，山田遼平，松本貴幸，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2009年3月30日 ～ 4月2日
Ni/Si(100)2×n表面上のGaナノワイヤーの研究
[ 共同発表者名 ] 布施和敬，高橋一星，原紳介，色川勝己，河津璋，三木裕文，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2009年3月30日 ～ 4月2日
水素終端Si(113)表面上のSTMリソグラフィによる原子脱離の研究
[ 共同発表者名 ] 鈴木徹，大角崇貴，原紳介，色川勝己，河津璋，三木裕文，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2009年春季 第56回応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2009年3月30日 ～ 4月2日
低温AlSb層を挿入したSi(100)基板上AlInSb/AlSbバッファ層の結晶性評価
[ 共同発表者名 ] 長谷川温，矢吹公幸，飯田智顕，宇田瑞紀，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2009年3月30日 ～ 4月2日
InAs HEMTの擬似バリスティック輸送に関する理論的研究
[ 共同発表者名 ] 竹岸孝之，山田遼平，松本貴幸，渡辺久巨，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2009年 電子情報通信学会総合大会
[ 発表日付 ] 2009年3月17日 ～ 3月17日
デバイスシミュレーション技術の基礎
[ 共同発表者名 ] 藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会特別ワークショップ
[ 発表日付 ] 2009年 3月6日
2008年度
CAICISS によるInSb-c(8×2)表面構造の研究
[ 共同発表者名 ] 坂本 純一，川口 寛樹，色川 勝己，藤代 博記，三木 裕文
[ 学会・会議名 ] 第28表面科学講演大会
[ 発表日付 ] 2008年11月13日 ～ 11月15日
STM によるSi(001)上のAl-Si ナノクラスター構造の研究
[ 共同発表者名 ] 木村 成善，原 紳介，名倉 裕一郎，太田 浩平，色川 勝己，藤代 博記，三木 裕文，河津 璋
[ 学会・会議名 ] 第28表面科学講演大会
[ 発表日付 ] 2008年11月13日 ～ 11月15日
InGaAs-HEMTの遮断周波数の性能限界に関する理論的検討
[ 共同発表者名 ] 池田尚史，松本貴幸，竹岸孝之，山田遼平，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2008年秋季 電子情報通信学会ソサイエティ大会
[ 発表日付 ] 2008年 9月18日
InGaAs-HEMTの遮断周波数の性能限界に関する理論的検討
[ 共同発表者名 ] 松本貴幸，池田尚史，山田遼平，横澤早智子，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2008年 9月4日
低温成長層を挿入したGaAs(100)基板上AlInSbバッファ層の結晶性評価
[ 共同発表者名 ] 宇田瑞紀，矢吹公幸，長谷川温，原紳介，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2008年9月3日
転位散乱を考慮したAlGaN/GaN-HEMTのデバイス特性のモンテカルロ解析
[ 共同発表者名 ] 平田祐子，山田遼平，竹岸孝之，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2008年 3月29日
ナノスケールInGaAs-HEMTの擬似バリスティック輸送の量子補正モンテカルロ解析
[ 共同発表者名 ] 川端崇裕，山田遼平，長谷川雅之，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2008年 3月29日
量子補正モンテカルロ法を用いたナノスケールInGaAs-HEMTの擬似バリスティック輸送の解析
[ 共同発表者名 ] 山田遼平，川端崇裕，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2008年 電子情報通信学会総合大会
[ 発表日付 ] 2008年 3月20日
2007年度
STM を用いたSi(001) -C-c(4x4)上のGa 吸着構造の研究
[ 共同発表者名 ] 太田 浩平，原 紳介，名倉 裕一朗，木村 成善，色川 勝己，三木 裕文，藤代 博記，河津 璋
[ 学会・会議名 ] 第27回表面科学講演大会
[ 発表日付 ] 2007年11月1日 ～ 11月3日
STM を用いたSi(113)表面におけるGa 高温吸着構造の研究
[ 共同発表者名 ] 名倉 裕一朗，原 紳介，太田 浩平，木村 成善，色川 勝己，藤代 博記，三木 裕文，河津 璋
[ 学会・会議名 ] 第27回表面科学講演大会
[ 発表日付 ] 2007年11月1日 ～ 11月3日
量子補正モンテカルロ法によるナノスケールInAs-HEMTのスケーリング特性の解析
[ 共同発表者名 ] 松本貴幸，川端祟裕，長谷川雅之，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2007年 9月4日
量子効果を考慮したモンテカルロ法によるナノスケールInP-HEMTの解析
[ 共同発表者名 ] 原和秀，川端祟裕，加賀理恵子，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2007年 3月27日
ナノスケールInSb-HEMTのモンテカルロ解析
[ 共同発表者名 ] 横澤早智子，長谷川雅之，原和秀，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2007年 3月27日
ナノスケールInP-HEMTの量子補正モンテカルロ解析
[ 共同発表者名 ] 川端 崇裕，加賀 理恵子，原 和秀，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2007年 電子情報通信学会総合大会
[ 発表日付 ] 2007年 3月22日
2006年度
InP(100)表面構造のCAICISS による検討
[ 共同発表者名 ] 川口 寛樹，井上 宏，色川 勝己，藤代 博記，三木 裕文
[ 学会・会議名 ] 第26回表面科学講演大会
[ 発表日付 ] 2006年11月6日 ～ 11月10日
Si(113)表面上におけるGa 吸着構造の研究
[ 共同発表者名 ] 名倉 裕一朗，小林 秀和，原 紳介，太田 浩平，色川 勝己，藤代 博記，渡辺 一之，三木 裕文，河津 璋
[ 学会・会議名 ] 第26回表面科学講演大会
[ 発表日付 ] 2006年11月6日 ～ 11月10日
量子効果を考慮したモンテカルロ法によるナノスケールInP-HEMTの解析
[ 共同発表者名 ] 原 和秀，長谷川 雅之，川端 崇裕，加賀 理恵子，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2006年秋季 電子情報通信学会ソサイエティ大会
[ 発表日付 ] 2006年 9月19日 ～ 9月22日
Si(001)4×2-Gaの構造のSTMと第一原理計算による研究
[ 共同発表者名 ] 原 紳介，小林 秀和，色川 勝己，藤代 博記，渡辺 一之，三木 裕文，河津 璋
[ 学会・会議名 ] 日本物理学会第61回年次大会
[ 発表日付 ] 2006年 3月27日 ～ 6月3日
AlGaN/GaNヘテロ構造における2次元電子ガスの高電界輸送特性のモンテカルロ解析
[ 共同発表者名 ] 富田 祥弘，成田 真一，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2006年 3月24日
2005年度
Si(113)3×1-GaのSTM観察と第一原理計算による解析
[ 共同発表者名 ] 小林 秀和，原 紳介，色川 勝己，藤代 博記，渡辺 一之，三木 裕文，河津 璋
[ 学会・会議名 ] 日本物理学会 秋季大会
[ 発表日付 ] 2005年9月21日
モンテカルロ物理デバイスシミュレータによる0.1µmゲートInP-HEMTの解析(2)
[ 共同発表者名 ] 加賀 理恵子，畠中 雅宏，原 和秀，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2005年秋季 電子情報通信学会ソサイエティ大会
[ 発表日付 ] 2005年 9月21日
物理デバイス･回路統合シミュレータによるAlGaN/GaN-HEMTの大信号解析(2) −大信号動作時の衝突電離の影響−
[ 共同発表者名 ] 成田 真一，富田 祥弘，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 第5回マイクロ波シミュレータ研究会
[ 発表日付 ] 2005年 9月14日
転位散乱を考慮したバルクGaNの高電界輸送特性のモンテカルロ解析
[ 共同発表者名 ] 富田 祥弘，成田 真一，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2005年 9月8日
0.1μmゲートダブルリセス構造InP-HEMTのモンテカルロ雑音解析
[ 共同発表者名 ] 原 和秀，加賀 理恵子，畠中 雅宏，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2005年 9月7日
衝突電離を考慮したAlGaN/GaN-HEMTの大信号モンテカルロ解析
[ 共同発表者名 ] 成田 真一，中山 正博，三上 信和，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2005年春季 第52回応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2005年 4月1日
0.1μmゲートダブルリセス構造InP-HEMTのモンテカルロ解析
[ 共同発表者名 ] 畠中 雅宏，三上 信和，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2005年春季 第52回応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2005年 3月31日
2004年度
物理デバイス・回路統合シミュレータによる高速・高周波デバイスの解析
[ 共同発表者名 ] 藤代 博記
[ 掲載誌名 ] 第10回マイクロ波シミュレータワークショップ
[ 掲載年月 ] 2004年 12月3日
CAICISSによるInP(100)-(2×4）表面構造の研究
[ 共同発表者名 ] 松本 充広，井上 宏，色川 勝己，藤代 博記，三木 裕文
[ 学会・会議名 ] 第24回表面科学講演大会
[ 発表日付 ] 2004年 11月10日
Si(001)8xn-Ga構造のSTMによる研究
[ 共同発表者名 ] 原 紳介，藤井 克匡，鳥居 仁，小林 秀和，色川 勝己，藤代 博記，三木 裕文，河津 璋
[ 学会・会議名 ] 第24回表面科学講演大会
[ 発表日付 ] 2004年11月9日
物理デバイス・回路統合シミュレータによるAlGaN/GaN-HEMTの大信号解析
[ 共同発表者名 ] 成田 真一，中山 正博，三上 信和，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2004年秋季 電子情報通信学会ソサイエティ大会
[ 発表日付 ] 2004年 9月22日
モンテカルロ物理デバイスシミュレータによる0.1μmゲートInP-HEMTの解析
[ 共同発表者名 ] 畠中 雅宏，三上 信和，中山 正博，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2004年秋季 電子情報通信学会ソサイエティ大会
[ 発表日付 ] 2004年 9月22日
Si(001)-8×n-Ga(n=4, 5, 6)クラスター内部構造の水素暴露による研究
[ 共同発表者名 ] 原 紳介，小林 秀和，色川 勝己，藤代 博記，三木 裕文，河津 璋
[ 学会・会議名 ] 日本物理学会秋季大会
[ 発表日付 ] 2004年9月15日
物理デバイス・回路統合シミュレータによるAlGaN/GaN-HEMTの大信号解析
[ 共同発表者名 ] 成田 真一，中山 正博，三上 信和，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] IETCE 第4回マイクロ波シミュレータ研究会
[ 発表日付 ] 2004年 9月15日
The hydrogen interaction with Si(001)-8xn-Ga (n=4, 5, 6) structure
[ 共同発表者名 ] 原 紳介，鳥居 仁，色川 勝己，藤代 博記，三木 裕文，河津 璋
[ 学会・会議名 ] IVC-16/ICSS-12/NANO-8/AIV-17
[ 発表日付 ] 2004年6月28日
モンテカルロ法を用いたGaAs-MESFETの雑音解析(2)
[ 共同発表者名 ] 中山 正博，石井 隆雄，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2004年 3月30日
モンテカルロ法による発熱を考慮したAlGaN/GaN-HEMTの特性解析(2)−基板依存性−
[ 共同発表者名 ] 三上 信和，武井 照幸，井澤 道能，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2004年 3月30日
2003年度
STMによる硫黄終端GaAs(001)表面へのナノ構造形成
[ 共同発表者名 ] 戸田祐輔，八木下雄貴，平田哲也，藤代博記
[ 学会・会議名 ] 第23回表面科学講演大会
[ 発表日付 ] 2003年 11月27日
モンテカルロ法を用いた物理ベース回路シミュレータによるGaAs-MESFETの雑音解析（2）
[ 共同発表者名 ] 中山 正博，石井 隆雄，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2003年秋季 電子情報通信学会ソサイエティ大会
[ 発表日付 ] 2003年 9月26日
Si(100)8 × 5-Ga構造形成過程のSTM観察
[ 共同発表者名 ] 鳥居 仁，藤井 克匡，原 紳介，色川 勝己，藤代 博記，三木 裕文，河津 璋
[ 学会・会議名 ] 日本物理学会 2003年秋季大会
[ 発表日付 ] 2003年9月20日
モンテカルロ法を用いた物理ベース回路シミュレータによるGaAs-MESFETの雑音解析
[ 共同発表者名 ] 中山 正博，石井 隆雄，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 第3回マイクロ波シミュレータ研究会
[ 発表日付 ] 2003年 9月5日
モンテカルロ法を用いたGaAs-MESFETの雑音解析
[ 共同発表者名 ] 中山 正博，石井 隆雄，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2003年秋季 第64回応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2003年 9月1日
モンテカルロ法による格子温度上昇を考慮したAlGaN/GaAs-HEMTの特性解析
[ 共同発表者名 ] 藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2003年秋季 第64回応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2003年 9月1日
モンテカルロ法による格子温度上昇を考慮したGaAs-MESFETの特性解析
[ 共同発表者名 ] 武井 照幸，三上 信和，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2003年春季 第50回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2003年 3月29日
STMリソグラフィによる硫黄終端GaAs(100)表面へのパターン形成
[ 共同発表者名 ] 八木下 雄貴，戸田 祐輔，平井 正和，田中 徹，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2003年春季 第50回応用物理学関係連合講演会
[ 発表日付 ] 2003年 3月28日
モンテカルロ法を用いた物理ベース回路シミュレータによるGaAs-MESFETの雑音解析
[ 共同発表者名 ] 中山 正博，石井 隆雄，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 2003年 電子情報通信学会総合大会
[ 発表日付 ] 2003年 3月21日
2002年度
モンテカルロ法を用いた物理ベース回路シミュレータによるGaAs-MESFETの小信号パラメータ・雑音解析
[ 全著者名 ] 藤代 博記，石井 隆雄，中山 正博，武井 照幸
[ 掲載誌名 ] 第6回マイクロ波シミュレータワークショップ
[ 掲載年月 ] 2002年 10月
Monte Carlo法を用いた物理ベース回路シミュレータによるGaAs-MESFETのモデリング
[ 共同発表者名 ] 石井 隆雄，藤代 博記
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会総合大会
[ 発表日付 ] 2002年 3月