国際会議

2018年度

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2017年度

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InSb-based HEMTs fabricated by using two-step-recessed gate procedure

[ 共同発表者名 ] N. Oka, K. Isono, Y. Harada, J. Takeuchi, T. Iwaki, Y. Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, R. Machida, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2017)

[ 発表日付 ] 2017年8月28日 ～ 8月31日

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Monte Carlo Study on Electron Transport Properties of GaxIn1-xSb HEMT Structures Considering Roughness Scattering

[ 共同発表者名 ] Y. Fujisawa, T. Takahashi, S. Kawamura, S. Fujikawa, and H.I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017) (14th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2017) & 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017))

[ 発表日付 ] 2017年5月14日 ～ 5月18日

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Electron Transport Properties of InSb/Ga0.35In0.65Sb Composite Channel Structure

[ 共同発表者名 ] S. Fujikawa, T. Iwaki, Y. Harada, J.Takeuchi, Y.Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, and A. Kasamatsu, H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017) (14th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2017) & 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017))

[ 発表日付 ] 2017年5月14日 ～ 5月18日

 

Fabrication of GaSb/AlGaSb Multi Quantum Wells Structure Grown on Si(100) Substrate Using Heteroepitaxial GaSb Thin-film and Dots Nucleation Layers

[ 共同発表者名 ] R. Machida, K. Akahane, I. Watanabe, S. Hara, S. Fujikawa, A. Kasamatsu, and H.I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017) (14th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2017) & 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017))

[ 発表日付 ] 2017年5月14日 ～ 5月18日

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2016年度

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Research and development of InP, GaN and InSb-based HEMTs and MMICs for terahertz-wave wireless communications

[ 共同発表者名 ] I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Hosako,H. Hamada, T. Kosugi, M. Yaita, A. E. Moutaouakil, H. Matsuzaki, O. Kagami,T. Takahashi, Y. Kawano, Y. Nakasha, N. Hara,D. Tsuji, K. Isono, S. Fujikawa, and H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 2016 IEEE Compound Semiconductor IC Symposium

[ 発表日付 ] 2016年10月23日 ～ 10月26日

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Electron Transport Properties of InSb/GaInSb Composite Channel

[ 共同発表者名 ] S. Fujikawa, J. Takeuchi, Y. Harada, and H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016),

[ 発表日付 ] 2016年9月4日 ～ 9月9日

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InSb-based HEMTwith Over 300 GHz-fT using Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction

[ 共同発表者名 ] S. Fujikawa, K. Isono, Y. Harada, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro,

[ 学会・会議名 ] 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016)

[ 発表日付 ] 2016年9月4日 ～ 9月9日

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InSb-based HEMT with Over 300 GHz-fT using Evaporated SiOx Film

[ 共同発表者名 ] K. Isono, D. Tsuji, T. Taketsuru, S. Fujikawa, I. Watanabe Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro,

[ 学会・会議名 ] The International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016

[ 発表日付 ] 2016年6月29日

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Comparative Study on Noise Characteristics of As and Sb-based HEMTs

[ 共同発表者名 ] Takuto Takahashi, Shota Hatsushiba, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] The International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016

[ 発表日付 ] 2016年6月27日

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Growth of GaSb Dots Nucleation Layer and Thin -Film GaSb on Si(100) Substrate by Molecular Beam Epitaxy

[ 共同発表者名 ] Ryuto Machida, RyusukeToda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Kouichi Akahane, Akifumi Kasamatsu, Hiroki I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) 2016

[ 発表日付 ] 2016年6月26日 ～ 6月30日

 

2015年度

 

DEPENDENCE OF InSb/GaSb FILMS GROWN ON FLAT AND VICINAL GaAs (100) SUBSTRATES

[ 共同発表者名 ] S. Fujikawa, H. Suzuki, H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 31st NORTH AMERICAN MOLECULAR BEAM EPITAXY CONFRENCE

[ 発表日付 ] 2015年10月4日 ～ 10月7日

 

Electron transport properties of InGaSb quantum well structure

[ 共同発表者名 ] Y. Harada, K. Isono, T. Taketsuru, H. Suzuki, S. Katou, D. Tsuji, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 34rd Electronic Materials Symposium (EMS34)
[ 発表日付 ] 2014年7月17日

 

Formation of GaSb islands on Si(100) with low-temperature grown GaSb layer

[ 共同発表者名 ] R. Machida, R. Toda, S. Fujikawa, S. Hara and H. I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 34rd Electronic Materials Symposium (EMS34)
[ 発表日付 ] 2015年7月16日

 

Study on Impacts of Dislocation and Roughness Scatterings on Electron Transport in InSb QW Comparing Monte Carlo Simulation and Measurements
[ 共同発表者名 ] Shota Hatsushiba, Sachie Fujikawa and Hiroki Fujishiro
[ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2015 (CSW2015)
[ 発表日付 ] 2015年7月2日

 

 Growth of GaSb Islands on Si(100) with Low-temperature Grown GaSb Layer
[ 共同発表者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Hiroki Fujishiro
[ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2015 (2015)
[ 発表日付 ] 2015年7月2日

 

 

 

 

2014年度

Improved Electron Transport Properties of InSb-QW Structure Using Stepped Buffer Layer for Strain Reduction

[ 共同発表者名 ] S. Fujikawa, D. Tsuji, T. Taketsuru, T. Maeda and H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014)

[ 発表日付 ] 2014年9月7日 ～ 9月12日

 

Improved electron transport characteristic of InSb-QW structure with Al0.25In0.75Sb / Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction

[ 共同発表者名 ] T. Taketsuru, D. Tsuji, T. Maeda, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 33rd Electronic Materials Symposium (EMS33)
[ 発表日付 ] 2014年7月9日 ～ 7月11日

 

Comparison and Analysis of Mechanisms Comparison of Delay Times in III-V MOSFETs with Various Channel Materials

[ 共同発表者名 ] Yuki Yajima, Ryoko Ohama, Sachie Fujikawa, and Hiroki I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 33rd Electronic Materials Symposium (EMS33)
[ 発表日付 ] 2014年7月9日 ～ 7月11日

 

Characterization of InSb-QW structures with Al0.25In0.75Sb / Al0.15In0.85Sb buffer layer for strain reduction
[ 共同発表者名 ] S. Fujikawa, Y. Takagi, T. Maeda, T. Taketsuru, D. Tsuji and H. I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 38th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE2014)
[ 発表日付 ] 2014年6月15日 ～ 6月18日

 

Analysis of Delay Times in III-V MOSFETs with Various Channel Materials
[ 共同発表者名 ] Ryoko Ohama, Yuki Yajima, Akio Nisida, Sachie Fujikawa and Hiroki I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 41st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014)
[ 発表日付 ] 2014年5月11日 ～ 5月15日

 

 

 

 

 

2013年度

 

Demonstration of Ni-GaSb metal S/D GaSb pMOSFETs with vacuum annealing on GaAs substrates
[ 共同発表者名 ] T.Gotoh,S.Fujikawa,H.I.Fujishiro,M.Ogura,T.Yasuda,T.Maeda
[ 学会・会議名 ] 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2013)
[ 発表日付 ] 2013年12月6日

Growth Morphology of GaSb Islands on Ga-Induced Si(100)-2×2 Reconstructed Surface
[ 共同発表者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Keisuke Yoshiki, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Akira Kawazu, Hiroki I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] Abstracts of 12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructure (ACSIN-2013)
[ 発表日付 ] 2013年11月4日 ～ 11月8日

 

Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials
[ 共同発表者名 ] Shohei Nagai, Yutaro Nagai, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Shinsuke Hara, Akira Endoh, Issei Watanabe, and Akifumi Kasamatsu
[ 学会・会議名 ] 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2013)
[ 発表日付 ] 2013年9月2日 ～ 9月5日

 

Comparative Study on III-V DG MOSFETs with Various Channel Materials
[ 共同発表者名 ] Akio Nishida, Kei Hasegawa, Ryoko Ohama, Shinsuke Hara, and Hiroki I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)
[ 発表日付 ] 2013年5月19日 ～ 5月23日

 

Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials
[ 共同発表者名 ] Y. Nagai, S. Nagai, J. Sato, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, I. Watanabe, and A. Kasamatsu
[ 学会・会議名 ] 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013)
[ 発表日付 ] 2013年5月19日 ～ 5月23日

 

 

 

 

2012年度

 

Effect of Types of Ga/Si(111) Reconstructed Structure on Growth Morphology of GaSb Island

[ 共同発表者名 ] R. Machida, K. Yoshiki, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu, and H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM20)

[ 発表日付 ] 2012年12月17日 ～ 12月19日

 

Delay Time Analysis of Graded Gate Field-Plate AlGaN/GaN HEMTs Using Monte Carlo Technique

[ 共同発表者名 ] K. Hara, T. Toshima, S. Hara, and H. I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
[ 発表日付 ] 2012年10月14日 ～ 10月19日

 

Growth Process and Morphology of Three-Dimensional GaSb Islands on Ga/Si(111)

[ 共同発表者名 ] Shinsuke Hara, Ryuto Machida, Keisuke Yoshiki, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Hiroki I. Fujishiro, Akira Kawazu
[ 学会・会議名 ] 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2012)
[ 発表日付 ] 2012年8月27日 ～ 8月30日

 

Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation

[ 共同発表者名 ] J. Sato, Y. Nagai, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, and I. Watanabe
[ 学会・会議名 ] 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012)
[ 発表日付 ] 2012年8月27日 ～ 8月30日

 

 

 

 

2011年度

 

Study of GaSb Strained Layer Locally Grown on Si(111) by Scanning Tunneling Microscopy

[ 共同発表者名 ] R. Machida, K. Yagishita, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu and H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 19th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM19)

[ 発表日付 ] 2011年12月19日 ～ 12月21日

 

Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of Nano-Scale III-V MOSFETs
[ 共同発表者名 ] Hiroki Fujishiro
[ 学会・会議名 ] BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T
[ 発表日付 ] 2011年10月

Study of Initial Growth Layer of GaSb on Ga- and Sb-induced Si(111) Reconstructed Surface by Scanning Tunneling Microscopy

[ 共同発表者名 ] S. Hara, R. Machida, K. Fuse, K. Yagishita, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu, and H. I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 11st International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructure (ACSIN-2011)
[ 発表日付 ] 2013年11月4日 ～ 11月8日

 

Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects

[ 全著者名 ] S. Hara, F. Machida, J. Sato, H. I. Fujishiro, A. Endo, Y. Yamashita and I. Watanabe
[ 学会・会議名 ] 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)
[ 発表日付 ] 2011年 8月28 ～ 8月31日

Strain Effects on Performances in InAs HEMTs
[ 共同発表者名 ] F. Machida, H. Nishino, J. Sato, H. Watanabe, S. Hara and H. I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)
[ 発表日付 ] 2011年5月22日～ 5月26日

Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation
[ 共同発表者名 ] T. Homma, K. Hasegawa, H. Watanabe, S. Hara and H. I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
[ 発表日付 ] 2011年5月22日～ 5月26日

 

 

 

2010年度

Study of GaSb quantum dot on Si(111) surface by scanning tunneling microscopy
[ 全著者名 ] K. Fuse, K. Yagishita, R. Machida, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki and H.I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 18th International Colloquiumon Scanning Probe Microscopy (ICSPM18)
[ 発表日付 ] 2010年12月9日 ～ 12月11日

Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs
[ 全著者名 ] Hiroki Fujishiro, Hisanao Watanabe, Takahiro Homma and Shinsuke Hara
[ 学会・会議名 ] International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)
[ 発表日付 ] 2010年11月1日 ～ 11月4日

 

Selective Growth of InSb on Localized Area of Si(100) by Molecular Beam Epitaxy

[ 共同発表者名 ] Tomoaki Iida, Yuichi Nishino, Akinori Uchida, Hiroyuki Horii, Shinsuke Hara, Hiroki I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy

[ 発表日付 ] 2010年8月24日 ～ 8月24日

Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs
[ 全著者名 ] H. Watanabe, T. Homma, T. Takegishi, Y. Hirasawa, Y. Hirata, S. Hara and H. I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)
[ 発表日付 ] 2010年5月31日 ～ 6月4日

 

MONTE CARLO STUDY OF STRAIN EFFECT ON HIGH FIELD ELECTRON TRANSPORT IN InAs AND InSb
[ 全著者名 ] H. Nishino, I. Kawahira, F. Machida, S. Hara and H. I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
[ 発表日付 ] 2010年5月31日 ～ 6月4日

 

 

 

2009年度

Study of Ga adsorption structure on Ni/Si(100) surface by scanning tunneling microscopy
[ 全著者名 ] K. Fuse, T. Suzuki, K. Yagishita, Y. Hirata, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu and H.I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 17th International Colloquium on Scanning Tunneling Microscopy (ICSPM17)
[ 発表日付 ] 2009年12月10日 ～ 12月12日

Study of the hydrogen terminated Si(113) surface by scanning tunneling microscopy and ab initio calculation
[ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Toru Suzuki, Kazuhiro Fuse, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Akira Kawazu, Hiroki Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 10)
[ 発表日付 ] 2009年9月21日 ～ 9月25日

Theoretical Study on Upper Limit of Cutoff Frequency in Nano-Scale InAs HEMTs Based on Quantum-Corrected Monte Carlo Method
[ 全著者名 ] H. I. Fujishiro, T. Takegishi, H. Watanabe, and S. Hara
[ 学会・会議名 ] 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2009)
[ 発表日付 ] 2009年8月25日 ～ 8月28日

THEORETICAL STUDY OF PERFORMANCE LIMITS IN NANO-SCALE InAs HEMTS BASED ON QUANTUM-CORRECTED MONTE CARLO METHOD
[ 全著者名 ] T.Takegishi, H.Watanabe, R.Yamada, T.Matsumoto, S.Hara, H.I.Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2009)
[ 発表日付 ] 2009年5月12日 ～ 5月12日

 

 

 

2008年度

Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Quasi-Ballistic Transport in Nano-Scale InGaAs HEMTs
[ 全著者名 ] Ryohei Yamada, Takayuki Takegishi, Yuko Hirata, Takayuki Matsumoto, Shinsuke Hara and Hiroki I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2008)

[ 発表日付 ] 2008年9月21日 ～ 9月24日

 

 

 

2007年度

Quantum-Corrected Monte Carlo Analysis of Scaling Behavior of Nano-Scale InGaAs High Electron Mobility Transistors
[ 全著者名 ] Hiroki I. Fujishiro, Takahiro Kawabata, and Jesus A. del Alamo
[ 学会・会議名 ] 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
[ 発表日付 ] 2007年10月15日 ～ 10月18日

Quantum Corrected Monte Carlo Simulation of Nano-Scale InGaAs High Electron Mobility Transistors
[ 全著者名 ] Hiroki I. Fujishiro, Takahiro Kawabata and Jesus A. del Alamo
[ 学会・会議名 ] 7th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2007)
[ 発表日付 ] 2007年8月21日 ～ 8月24日

 

 

 

2006年度

Monte Carlo Study of High-Field Electron Transport Characteristics in AlGaN/GaN Heterostructure Considering Dislocation Scattering
[ 全著者名 ] Y.Tomita, H.Ikegami and H.I..Fujishiro
[ 掲載誌名 ] International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006)
[ 掲載年月 ] 2006年10月22日 ～ 10月27日

 

Scanning Tunneling Microscopy (STM) and ab initio Studies of Precursor States of Ga-induced Cluster Formation on Si(001) Surface

[ 共同発表者名 ] S.Hara, H.Kobayashi, K.Irokawa, H.I.Fujishiro, K.Watanabe, H.Miki, A.Kawazu

[ 学会・会議名 ] International Conference on Nanoscience and Technology 2006 (ICN+T2006)

[ 発表日付 ] 2006年7月28日 ～ 8月6日

 

STM Study of Ga-Adsorbed Si(113) Surface

[ 共同発表者名 ] K. Irokawa, H. Kobayashi, S. Hara, H.I. Fujishiro, H. Miki, A. Kawazu

[ 学会・会議名 ] International Conference on Nanoscience and Technology 2006 (ICN+T2006)

[ 発表日付 ] 2006年7月28日 ～ 8月6日

 

 

 

2005年度

 

Study of Si(001)4×2-Ga structure by STM

[ 共同発表者名 ] S. Hara, H. Kobayashi, K. Irokawa, H.I. Fujishiro, H. Miki and A. Kawazu

[ 学会・会議名 ] International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4)

[ 発表日付 ] 2005年11月14日 ～ 11月17日

Large Signal Analysis of AlGaN/GaN-HEMT Amplifier by Coupled Physical Device-Circuit Simulation
[ 全著者名 ] H.I.Fujishiro, S.Narita and Y.Tomita
[ 掲載誌名 ] 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
[ 掲載年月 ] 2005年8月29日 ～ 9月2日

 

Monte Carlo Analysis of 0.1-μm-Gate InP-HEMT
[ 全著者名 ] M. Hatakenaka, R. Kaga, K. Hara, H. I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 6th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2005)
[ 掲載年月 ] 2005年8月22日 ～ 8月25日

 

 

 

2004年度

 

Monte Carlo Study of Self-Heating Effect in GaN/AlGaN HEMTs

[ 共同発表者名 ] 藤代 博記，三上 信和，武井 照幸，畠中 雅宏，猪澤 道能

[ 学会・会議名 ] 2004 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2004)　

[ 発表日付 ] 2004年7月19日

 

 

 

2003年度

 

Initial Growth Process of Si(001)-8xn-Ga Structure

[ 共同発表者名 ] 三木 裕文，色川 勝己，原 紳介，藤井 克匡，藤代 博記，鳥居 仁，河津 璋

[ 学会・会議名 ] The 11th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy

[ 発表日付 ] 2003年12月11日

Peculiality of Ga on Si(001) Surface at High Temperature
[ 全著者名 ] S.Hara, H.Torii, K.Irokawa, H.I.Fujishiro, H.Miki and A.Kawazu
[ 学会・会議名 ] 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7)
[ 発表日付 ] 2003年 11月16日 ～ 11月20日

 

Nano-Scale Patterning on Sulfur Terminated GaAs(001) Surface by Scanning Tunneling Microscope
[ 全著者名 ] Y.Yagishita, Y.Toda, M.Hirai and H.I.Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures (ACSIN-7)
[ 発表日付 ] 2003年 11月16日 ～ 11月20日

 

Determination of Noise Parameters of GaAs-MESFETs by Physics-based Circuit Simulator Employing Monte Carlo Techniques

[ 全著者名 ] H.I.Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 2003 Asia-Pacific Microwave Conference
[ 発表日付 ] 2003年11月7日

Determination of Noise Figures of GaAs-MESFETs by Physics-based Circuit Simulator Employing Monte Carlo Technique
[ 全著者名 ] T.Ishii, M.Nakayama and H.I.Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 2003 Asia-Pacific Microwave Conference
[ 発表日付 ] 2003年11月7日

Self-Heating Effect on Device Characteristics of GaN/AlGaN HEMTs: 2D Monte Carlo Device Simulation
[ 全著者名 ] 藤代 博記，三上 信和，武井 照幸，猪澤 道能，杢 哲次，大塚 康二
[ 学会・会議名 ] 30th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2003)
[ 掲載年月 ] 2003年 8月

 

 

 

2002年度

Determination of Small-Signal Parameters and Noise Figures of MESFET's by Physics-Based Circuit Simulator Employing Monte Carlo Technique
[ 全著者名 ] Hiroki I. Fujishiro and Takao Ishii
[ 掲載誌名 ] 2002 Asia-Pacific Microwave Conference
[ 掲載年月 ] 2002年 11月

 

 

 

2001年度

SSB MMIC mixer with subharmonic LO and CPW circuits for 38GHz band Applications
[ 全著者名 ] Y.Ogawa, T.Hamada, T.Kimura
[ 掲載誌名 ] IEE Electronics Letters 2001
[ 巻・号・頁 ] 37巻 7号 1-2頁
[ 掲載年月 ] 2001年