論文
2016年度
Effect of low-temperature-grown GaSb layer on formation of high-density and small GaSb islands on Si(100) substrate
[ 全著者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, and Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2016年 3月
2015年度
Effects of Ga-induced reconstructed surfaces and atomic steps on themorphology of GaSb islands on Si(1 0 0)
[ 全著者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe,Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] APPLIED SURFACE SCIENCE
[ 掲載年月 ] 2015年 6月
Improved electron transport properties of InSb quantum well structure using stepped buffer layer for strain reduction
[ 全著者名 ] S. Fujikawa, T. Taketsuru, D. Tsuji, T. Maeda, H.I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
[ 掲載年月 ] 2015年 2月
Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/GaSb/GaAs metal–oxide–semiconductor structures
[ 全著者名 ] Takahiro Gotow, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Mutsuo Ogura, Tetsuji Yasuda, and Tatsuro Maeda
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2015年 1月
2014年度
Improved Electron Transport Properties of InSb-QW Structure Using Stepped Buffer Layer for Strain Reduction
[ 全著者名 ] S. Fujikawa, D. Tsuji, T. Taketsuru, T. Maeda and H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Proc. of 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(\(\(\(MBE2014)
[ 掲載年月 ] 2014年 9月
III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析
[ 全著者名 ] 矢島悠貴，大濱諒子，藤川紗千恵，藤代博記
[ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会技術研究報告
[ 掲載年月 ] 2014年 8月
貫通転位がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響の解析
[ 全著者名 ] 初芝正太，長井彰平，藤川紗千恵，原紳介，遠藤聡，渡邊一世，笠松章史，藤代博記
[ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会技術研究報告
[ 掲載年月 ] 2014年 8月
Comparison of delay times in III-V MOSFETs with various channel materials
[ 全著者名 ] Y. Yajima, R. Ohama, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] 33rd Electronic Materials Symposium (33rd EMS)
[ 掲載年月 ] 2014年 7月
Improved electron transport characteristic of InSb-QW structure with Al0.25In0.75Sb / Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction
[ 全著者名 ] T. Taketsuru, D. Tsuji, T. Maeda, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] 33rd Electronic Materials Symposium (33rd EMS)
[ 掲載年月 ] 2014年 7月
Characterization of InSb-QW structures with Al0.25In0.75Sb / Al0.15In0.85Sb buffer layer for strain reduction
[ 全著者名 ] S. Fujikawa, Y. Takagi, T. Maeda, T. Taketsuru, D. Tsuji and H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] 38th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (38th WOCSDICE)
[ 掲載年月 ] 2014年 6月
Analysis of Delay Times in III-V MOSFETs with Various Channel Materials
[ 全著者名 ] R. Ohama, Y. Yajima, A. Nishida, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of 41th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014)
[ 掲載年月 ] 2014年 5月
2013年度
Comparative Study on Nano-Scale III-V Double-Gate MOSFETs with Various Channel Materials
[ 全著者名 ] Akio Nishida, Kei Hasegawa, Ryoko Ohama, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, and Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Physica Status Solidi C
[ 掲載年月 ] 2013年 12月
Demonstration of Ni-GaSb metal S/D GaSb pMOSFETs with vacuum annealing on GaAs substrates
[ 全著者名 ] T. Gotow, S. Fujikawa, H. I. Fujishiro, M. Ogura, T. Yasuda, T. Maeda
[ 掲載誌名 ] Proc. of 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2013)
[ 掲載年月 ] 2013年 12月
Growth Morphology of GaSb Islands on Ga-Induced Si(100)-2×2 Reconstructed Surface
[ 全著者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Keisuke Yoshiki, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Akira Kawazu, Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructure (ACSIN-2013)
[ 掲載年月 ] 2013年 11月
Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials
[ 全著者名 ] Shohei Nagai, Yutaro Nagai, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Shinsuke Hara, Akira Endoh, Issei Watanabe, and Akifumi Kasamatsu
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2013)
[ 掲載年月 ] 2013年 9月
Effect of Types of Ga/Si(111) Reconstructed Structure on Growth Morphology of GaSb Island
[ 全著者名 ] R.Machida, R.Toda, K.Yoshiki, S.Hara, K.Irokawa, H.Miki, A.Kawazu, and H.I.Fujishiro
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Conference Proceedings
[ 掲載年月 ] 2013年 8月
Delay Time Analysis of Graded Gate Field-Plate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Monte Carlo Simulation
[ 全著者名 ] K. Hara, T. Toshima, S. Hara, and H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2013年 6月
Comparative Study on III-V DG MOSFETs with Various Channel Materials
[ 全著者名 ] Akio Nishida, Kei Hasegawa, Ryoko Ohama, Shinsuke Hara, and Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)
[ 掲載年月 ] 2013年 5月
Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials
[ 全著者名 ] Y. Nagai, S. Nagai, J. Sato, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, I. Watanabe, and A. Kasamatsu
[ 掲載誌名 ] Proceedings of 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013)
[ 掲載年月 ] 2013年 5月
GaAs基板上GaSb MOS 構造の作製
[ 全著者名 ] 後藤高寛，原 紳介，藤代博記，小倉睦郎，安田哲二，前田辰郎
[ 掲載誌名 ] 第60回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集
[ 掲載年月 ] 2013年 3月
Growth Process and Morphology of Three-Dimensional GaSb Islands on Ga/Si(111)
[ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Ryuto Machida, Keisuke Yoshiki, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Hiroki I. Fujishiro, Akira Kawazu
[ 掲載誌名 ] Physica Status Solidi C
[ 掲載年月 ] 2013年 2月
2012年度
Effect of Types of Ga/Si(111) Reconstructed Structure on Growth Morphology of GaSb Island
[ 全著者名 ] R. Machida, K. Yoshiki, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu and H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM20)
[ 掲載年月 ] 2012年 12月
Delay Time Analysis of Graded Gate Field-Plate AlGaN/GaN HEMTs Using Monte Carlo Technique
[ 全著者名 ] K. Hara, T. Toshima, S. Hara, and H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Abstracts of International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
[ 掲載年月 ] 2012年 10月
Growth Process and Morphology of Three-Dimensional GaSb Islands on Ga/Si(111)
[ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Ryuto Machida, Keisuke Yoshiki, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Hiroki I. Fujishiro, Akira Kawazu
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012)
[ 掲載年月 ] 2012年 8月
Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation
[ 全著者名 ] J. Sato, Y. Nagai, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, and I. Watanabe
[ 掲載誌名 ] Proceedings of 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012)
[ 掲載年月 ] 2012年 8月
Si(100)表面上前駆Gaクラスター構造の研究
[ 全著者名 ] 原 紳介, 色川 勝己, 藤代 博記, 渡辺 一之, 三木 裕文, 河津 璋
[ 掲載誌名 ] 表面科学
[ 掲載年月 ] 2012年 8月
Study of GaSb Layers Grown on Ga/Si(111)-√3×√3 by Scanning Tunneling Microscopy
[ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Ryuto Machida, Kazuki Yagishita, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Akira Kawazu, and Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2012年 8月
量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析
[ 全著者名 ] 永井佑太郎,佐藤純,原紳介,藤代博記,遠藤聡,渡邊一世
[ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会技術研究報告
[ 掲載年月 ] 2012年 7月
Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation
[ 全著者名 ] Takahiro Homma, Kei Hasegawa, Hisanao Watanabe, Shinsuke Hara and Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Physica Status Solidi C
[ 掲載年月 ] 2012年 2月
2011年度
Study of Initial Growth Layer of GaSb on Ga- and Sb-induced Si(111) Reconstructed Surface by Scanning Tunneling Microscopy
[ 全著者名 ] S. Hara, R. Machida, K. Fuse, K. Yagishita, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu, and H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructure (ACSIN-2011)
[ 掲載年月 ] 2011年 10月
Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects
[ 全著者名 ] S. Hara, F. Machida, J. Sato, H. I. Fujishiro, A. Endo, Y. Yamashita and I. Watanabe
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)
[ 掲載年月 ] 2011年 8月
Study of Initial Growth Layer of GaSb on Si(111) by Scanning Tunneling Microscopy
[ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Kazuhiro Fuse, Ryuto Machida, Kazuki Yagishita, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Akira Kawazu, and Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2011年 8月
量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析
[ 全著者名 ] 佐藤 純 町田 史晴 原 紳介 藤代 博記
[ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会技術研究報告
[ 掲載年月 ] 2011年 7月
Selective Growth of InSb on Localized Area of Si(100) by Molecular Beam Epitaxy
[ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Tomoaki Iida, Yuichi Nishino, Akinori Uchida, Hiroyuki Horii, and Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
[ 掲載年月 ] 2011年 5月
Strain Effects on Performances in InAs HEMTs
[ 全著者名 ] F. Machida, H. Nishino, J. Sato, H. Watanabe, S. Hara and H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)
[ 掲載年月 ] 2011年 5月
Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation
[ 全著者名 ] T. Homma, K. Hasegawa, H. Watanabe, S. Hara and H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
[ 掲載年月 ] 2011年 5月
Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs
[ 全著者名 ] H. Watanabe, T. Homma, T. Takegishi, Y. Hirasawa, Y. Hirata, S. Hara and H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Physica Status Solidi C
[ 掲載年月 ] 2011年 2月
2010年度
Study of GaSb quantum dot on Si(111) surface by scanning tunneling microscopy
[ 全著者名 ] K. Fuse, K. Yagishita, R. Machida, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki and H.I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Abstract of 18th International Colloquiumon Scanning Probe Microscopy (ICSPM18)
Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs
[ 全著者名 ] Hiroki Fujishiro, Hisanao Watanabe, Takahiro Homma and Shinsuke Hara
[ 掲載誌名 ] Proc. International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)
[ 掲載年月 ] 2010年 11月
Theoretical Study on Performane Limit of Cutoff Frequency in Nano-Scale InAs HEMTs Based on Quantum-Corrected Monte Carlo Method
[ 全著者名 ] Takayuki TAKEGISHI, Hisanao WATANABE, Shinsuke HARA and Hiroki I. FUJISHIRO
[ 掲載誌名 ] IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS
[ 掲載年月 ] 2010年 8月
Study of Ga Adsorption Structure on Ni/Si(100) Surface by Scanning Tunneling Microscopy
[ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Kazuhiro Fuse, Toru Suzuki, Kazuki Yagishita, Yoshiki Hirata, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Akira Kawazu, and Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2010年 8月
InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析
[ 全著者名 ] 本間 嵩広 渡邉 久巨 原 紳介 藤代 博記
[ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会技術研究報告
[ 掲載年月 ] 2010年 6月
Study of H:Si(113)2×2 Structure by Scanning Tunneling Microscopy and Ab Initio Calculation
[ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Toru Suzuki, Issei Takahashi, Takaki Ohsumi, Kazuyuki Fuse, Hiroki I. Fujishiro, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki and Akira Kawazu
[ 掲載誌名 ] e-Journal of Surface Science and Nanotechnology
[ 掲載年月 ] 2010年 5月
Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs
[ 全著者名 ] H. Watanabe, T. Homma, T. Takegishi, Y. Hirasawa, Y. Hirata, S. Hara and H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)
[ 掲載年月 ] 2010年 5月
MONTE CARLO STUDY OF STRAIN EFFECT ON HIGH FIELD ELECTRON TRANSPORT IN InAs AND InSb
[ 全著者名 ] H. Nishino, I. Kawahira, F. Machida, S. Hara and H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
[ 掲載年月 ] 2010年 5月
2009年度
Study of Ga adsorption structure on Ni/Si(100) surface by scanning tunneling microscopy
[ 全著者名 ] K. Fuse, T. Suzuki, K. Yagishita, Y. Hirata, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu and H.I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Abstract of The 17th International Colloquium on Scanning Tunneling Microscopy
[ 掲載年月 ] 2009年 12月
Study of the hydrogen terminated Si(113) surface by scanning tunneling microscopy and ab initio calculation
[ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Toru Suzuki, Kazuhiro Fuse, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Akira Kawazu, Hiroki Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Abstract of 10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 10)
[ 掲載年月 ] 2009年 9月
Theoretical Study on Upper Limit of Cutoff Frequency in Nano-Scale InAs HEMTs Based on Quantum-Corrected Monte Carlo Method
[ 全著者名 ] H. I. Fujishiro, T. Takegishi, H. Watanabe, and S. Hara
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2009)
[ 掲載年月 ] 2009年 8月
Quantum-corrected Monte Carlo study of quasi-ballistic transport in nano-scale InGaAs HEMTs
[ 全著者名 ] Ryohei Yamada, Takayuki Takegishi, Yuko Hirata, Takayuki Matsumoto, Shinsuke Hara, Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Physica Status Solidi C
[ 掲載年月 ] 2009年 6月
歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析
[ 全著者名 ] 西野 啓之 川平 一太 原 紳介 藤代 博記
[ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会 技術研究報告
[ 掲載年月 ] 2009年 6月
STM study of Si(113) 3×2-Ga surface
[ 全著者名 ] K.Irokawa,Y.Nagura, H.Kobayashi, S.Hara, H.I.Fujishiro, H.Miki, A.Kawazu and K.Watanabe
[ 掲載誌名 ] SURFACE SCIENCE
[ 掲載年月 ] 2009年 5月
THEORETICAL STUDY OF PERFORMANCE LIMITS IN NANO-SCALE InAs HEMTS BASED ON QUANTUM-CORRECTED MONTE CARLO METHOD
[ 全著者名 ] T.Takegishi, H.Watanabe, R.Yamada, T.Matsumoto, S.Hara, H.I.Fujishiro
[ 掲載誌名 ] IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009)
[ 掲載年月 ] 2009年 5月
Scanning tunneling microscopy and ab initio studies of precursor states of Ga-induced cluster on Si(001) surface
[ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Hidekazu Kobayashi, Kohei Ota, Yuichiro Nagura, Katsumi Irokawa, Hiroki Inomata Fujishiro, Kazuyuki Watanabe, Hirofumi Miki and Akira Kawazu
[ 掲載誌名 ] SURFACE SCIENCE
[ 掲載年月 ] 2009年 1月
2008年度
Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Quasi-Ballistic Transport in Nano-Scale InGaAs HEMTs
[ 全著者名 ] Ryohei Yamada, Takayuki Takegishi, Yuko Hirata, Takayuki Matsumoto, Shinsuke Hara and Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2008) Abstracts
[ 掲載年月 ] 2008年 9月
Quantum-Corrected Monte Carlo Analysis of Scaling Behavior of Nano-Scale InGaAs High Electron Mobility Transistors
[ 全著者名 ] Hiroki I. Fujishiro, Takahiro Kawabata and Jesus A. del Alamo
[ 掲載誌名 ] Physica Status Solidi C
[ 掲載年月 ] 2008年 6月
2007年度
Quantum-Corrected Monte Carlo Analysis of Scaling Behavior of Nano-Scale InGaAs High Electron Mobility Transistors
[ 全著者名 ] Hiroki I. Fujishiro, Takahiro Kawabata, and Jesús A. del Alamo
[ 掲載誌名 ] Abstracts of International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
[ 掲載年月 ] 2007年 10月
Quantum Corrected Monte Carlo Simulation of Nano-Scale InGaAs High Electron Mobility Transistors
[ 全著者名 ] Hiroki I. Fujishiro, Takahiro Kawabata and Jesús A. del Alamo
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 7th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2007)
[ 掲載年月 ] 2007年 8月
Study of Si(0 0 1)4 × 2-Ga structure by scanning tunneling microscopy and ab initio calculation
[ 全著者名 ] S.Hara, H.Kobayashi, K.Irokawa, H.I.Fujishiro, K.Watanabe, H.Miki and A.Kawazu
[ 掲載誌名 ] SURFACE SCIENCE
[ 掲載年月 ] 2007年 6月
Monte Carlo Study of High-Field Electron Transport Characteristics in AlGaN/GaN Heterostructure Considering Dislocation Scattering
[ 全著者名 ] Yoshihiro Tomita, Hirofumi Ikegami, and Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] physica status solidi c
[ 掲載年月 ] 2007年 5月
Si(001)4×2-Ga structure studies by scanning tunneling microscopy and ab initio calculation
[ 全著者名 ] S. Hara, H. Kobayashi, K. Irokawa, H. I. Fujishiro, K. Watanabe, H. Miki, and A. Kawazu
[ 掲載誌名 ] SURFACE SCIENCE
[ 掲載年月 ] 2007年 4月
2006年度
Monte Carlo Study of High-Field Electron Transport Characteristics in AlGaN/GaN Heterostructure Considering Dislocation Scattering
[ 全著者名 ] Y.Tomita, H.Ikegami and H.I..Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Technical Digest of International Workshop on Nitride Semiconductors
[ 掲載年月 ] 2006年 10月
Large Signal Analysis of AlGaN/GaN-HEMT Amplifier by Coupled Physical Device-Circuit Simulation
[ 全著者名 ] H. I. Fujishiro, S. Narita, and Y. Tomita
[ 掲載誌名 ] PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
[ 掲載年月 ] 2006年 5月
2005年度
Behavior of Ga atoms on Si(001) surface at high temperature
[ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Akira Kawazu, Hitoshi Torii, and Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2005年 10月
物理デバイス･回路統合シミュレータによるAlGaN/GaN-HEMTの大信号解析（２） −大信号動作時の衝突電離の影響−
[ 全著者名 ] 成田真一、富田祥弘、藤代博記
[ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会技術研究報告
[ 掲載年月 ] 2005年 9月
Large Signal Analysis of AlGaN/GaN-HEMT Amplifier by Coupled Physical Device-Circuit Simulation
[ 全著者名 ] H.I.Fujishiro, S.Narita and Y.Tomita
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 6th International Conference on Nitride Semiconductors
[ 掲載年月 ] 2005年 8月
Monte Carlo Analysis of 0.1-μm-Gate InP-HEMT
[ 全著者名 ] M. Hatakenaka, R. Kaga, K. Hara, H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 6th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2005)
[ 掲載年月 ] 2005年 8月
Noise Analysis of GaAs-MESFETs by Physics-Based Circuit Simulator Employing Monte Carlo Technique
[ 全著者名 ] Masahiro Nakayama, Shinichi Narita, Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS
[ 掲載年月 ] 2005年 7月
Monte Carlo Study of Self-Heating Effect in GaN/AlGaN HEMTs on Sapphire, SiC and Si Substrates
[ 全著者名 ] 藤代 博記、三上 信和、畠中 雅宏
[ 掲載誌名 ] physica status solidi (c）
[ 掲載年月 ] 2005年 4月
2004年度
Self-Heating Effect on Device Characteristics of GaN/AlGaN HEMTs: 2D Monte Carlo Device Simulation
[ 全著者名 ] 藤代 博記、三上 信和、武井 照幸、猪澤 道能、李 哲次、大塚 康二
[ 掲載誌名 ] 2003 International Symposium on Compound Semiconductors: Post-Conference Proceedings
[ 掲載年月 ] 2004年 12月
Nano-scale patterning on sulfur terminated GaAs(001) surface by scanning tunneling microscope
[ 全著者名 ] Yuki Yagishita, Yusuke Toda, Masakazu Hirai and Hiroki Inomata Fujishiro
[ 掲載誌名 ] APPLIED SURFACE SCIENCE
[ 掲載年月 ] 2004年 10月
物理デバイス・回路統合シミュレータによるAlGaN/GaN-HEMTの大信号解析
[ 全著者名 ] 成田 真一、中山 正博、三上 信和、藤代 博記
[ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会技術研究報告
[ 掲載年月 ] 2004年 9月
Monte Carlo Study of Self-Heating Effect in GaN/AlGaN HEMTs on Sapphire, SiC and Si Substrates
[ 全著者名 ] H.I.Fujisiro, N.Mikami and M.Hatakenaka
[ 掲載誌名 ] Technical Digest of International Workshop on Nitride Semiconductors
[ 掲載年月 ] 2004年 8月
2003年度
Nano-Scale Patterning on Sulfur Terminated GaAs(001) Surface by Scanning Tunneling Microscope
[ 全著者名 ] Y.Yagishita, Y.Toda, M.Hirai and H.I.Fujishiro
[ 掲載誌名 ] 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures
[ 掲載年月 ] 2003年 11月
Peculiality of Ga on Si(001) Surface at High Temperature
[ 全著者名 ] S.Hara, H.Torii, K.Irokawa, H.I.Fujishiro, H.Miki and A.Kawazu
[ 掲載誌名 ] 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures
[ 掲載年月 ] 2003年 11月
Determination of Noise Figures of GaAs-MESFETs by Physics-based Circuit Simulator Employing Monte Carlo Technique
[ 全著者名 ] T.Ishii, M.Nakayama and H.I.Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Proc. Asia-Pacific Microwave Conference
[ 掲載年月 ] 2003年 11月
モンテカルロ法を用いた物理ベース回路シミュレータによるGaAs-MESFETの雑音解析
[ 全著者名 ] 中山 正博、石井 隆雄、藤代 博記
[ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会技術研究報告 MST 2003
[ 掲載年月 ] 2003年 9月
Determination of Small-Signal Parameters and Noise Figures of MESFET's by Physic-Based Circuit Simulator Employing Monte Carlo Technique
[ 全著者名 ] Takao Ishii, Masahiro Nakayama and H.Inomata Fujishiro
[ 掲載誌名 ] IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS
[ 掲載年月 ] 2003年 8月
Self-Heating Effect on Device Characteristics of GaN/AlGaN HEMTs: 2D Monte Carlo Device Simulation
[ 全著者名 ] 藤代 博記、三上 信和、武井 照幸、猪澤 道能、杢 哲次、大塚 康二
[ 掲載誌名 ] 30th International Symposium on Compound Semiconductors
[ 掲載年月 ] 2003年 8月
2002年度
Determination of Small-Signal Parameters and Noise Figures of MESFET's by Physics-Based Circuit Simulator Employing Monte Carlo Technique
[ 全著者名 ] Hiroki I. Fujishiro, Takao Ishii
[ 掲載誌名 ] 2002 Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings
[ 掲載年月 ] 2002年 11月
モンテカルロ法を用いた物理ベース回路シミュレータによるCaAs−MESFETの小信号パラメータ・雑音解析
[ 全著者名 ] 藤代博記，石井隆雄，中山正博，武井照幸
[ 掲載誌名 ] 第6回マイクロ波シミュレータワークショップ
[ 掲載年月 ] 2002年 10月
2001年度
SSB MMIC mixer with subharmonic LO and CPW circuits for 38GHz band Applications
[ 全著者名 ] Y.Ogawa, T.Hamada, T.Kimura (3人）
[ 掲載誌名 ] IEE Electronics Letters 2001
[ 掲載年月 ] 2001年
"SSB MMIC mixer with subharmonic LO and CPW circuits for 38GHz band Applications"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEE Electronics Letters
[ 掲載年月 ] 2001年
"SSB MMIC mixer with subharmonic LO and CPW circuits for 38GHz band Applications"(共著)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEE Electronics Letters
[ 掲載年月 ] 2001年
2000年度
A Plastic Package GaAs MESFET5.8GHz Receiver Front-End with On-Chip Matching for ETC System
[ 全著者名 ] E.C.Low, H.Nakamura, K.T.Yan (3人）
[ 掲載誌名 ] IEEE Trans. Microwave Theory and Techiniques
[ 掲載年月 ] 2000年 4月